容量再翻倍!東芝發新款快閃儲存晶片

Eric Chan
Eric Chan
2015年08月5日, 下午 03:00
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隨著技術的成熟,我們所拍的照片、影片或是音訊都變得愈來愈大,對於速度的要求也越來越高(用過 SSD 之後就回不去了的概念),讓儲存媒體都帶來極大的壓力。繼上週 Intel 和 Micron 發佈的 3D 記憶體東芝和 SanDisk 也在今天公布一款新的 256Gb 快閃儲存晶片,它是以數月前公佈的 15 微米製程、48 層堆棧式的設計之上,加入 3-bit 技術(首見為 Samsung)來把儲存容量翻倍。估計新晶片將會為智慧型手機、SSD 和其他電子裝置帶來更快、更可靠的儲存媒介。可是 Intel 和 Micron 合作研發的 256Gb 晶片「只是」堆棧了 32 層而已,所以他們所開發的技術相信會輕易超越東芝和 SanDisk 的這款。而且 Micron 曾稱他們的技術最終可達 10TB 容量之多,價錢還會更便宜呢。無論如何,最終得益的都會是我們消費者,畢竟這都是產品來的。回到新聞的主角吧,東芝正為新晶片在日本興建新的工廠,預計 2016 年就會正式投產上市。
標籤: 256gb, bics, flash, memory, nand, sandisk, ssd, toshiba
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