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Intel 的 3D 記憶體比現代儲存媒介快 1000 倍

Andy Yang
2015 年 7 月 29 日, 傍晚 08:04
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雖然很想把文章寫得像發現了新大陸一樣興奮,但仔細讀過去,就會發現 Intel 和 Micron 共同發表的這個新的「3D Xpoint(發音如 cross-point)」,其實就是我們多年前寫過的憶阻器和材料技術的實用化。至少很難得地,這個技術竟然能照著預計的時程推出,之前答應「2016 可以實用化」,目前看起來應該是沒有問題的呢。


這顆新晶片利用了兩個新的技術:一個是可以改變電阻的一種晶體,對這種晶體施加電壓可以改變它的電阻值,並在電壓消失後繼續保存著。如果我們把不同的電阻值視為數據的 0 或 1,那測量電阻值就可以知道這個晶體存放的資料是什麼了。第二個技術是稱為「crosshatch」的電路結構,由垂直方向的多層細密電線交錯而成,層與層之間連通上述的晶體。這種方式的資料儲存是立體的,所以在密度上可以比普通的 NAND 高十倍,讀寫快千倍,而且也更耐久。這麼一來,憶阻體可以有等同,或甚至超過 DRAM 的表現,而且還是永久儲存,不會因斷電而損失資料。說不定它可以在未來,讓記憶體和存儲的分野消失,CPU 直接去讀寫硬碟的資料!


Intel 將先把這個技術應用在大數據上,特別是大量資料的即時分析。雖然據稱 Xpoint 已經在量產中,但要來到消費者手上大概還是有一段距離的。