繼擴建美國德州奧斯汀晶片生產線的計劃獲得批准以後,Samsung 又迎來了一個和晶片生產有關的好消息。他們於日前正式宣佈已經成功試產首款採用 14nm 製程的 FinFET 晶片,據悉和現有產品相比該款晶片的設計(有人會把這種設計和 Intel Ivy Bridge 晶片上使用的「Tri-Gate」電晶體技術相比)可以大大改善電力和效能表現,同時其還能將漏電率控制在較低的水平。Samsung 表示這款晶片是與 ARM、Cadence、Mentor 以及 Synopsis 共同合作的成果,而對我們用戶來說自然是希望它能夠早日上市啦。訪問來源可以閱讀完整的新聞稿。