Samsung 3nm GAAFET
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Samsung 今日正式宣佈,其位於南韓華城的工廠已經成功開始以 GAAFET(全環柵電晶體)架構量產 3nm 製程晶片。在新的 GAAFET 方案中 Samsung 首度運用了 MBCFET(多橋通道電晶體)技術,它「突破了過去 FinFET 的效能限制」,可以透過降低電壓水平的方式提高電源效率,同時還能靠增加驅動電流能力來提升效能。

根據 Samsung 給出的數據,和現有的 5nm 製程相比,第一代的 3nm 製程可以在減少 16% 面積的前提下,降低 45% 功耗且提高 23% 效能。而未來的第二代 3nm 製程更能在減少 35% 面積的情況下,實現 50% 的功耗降幅和 30% 的效能躍升。

「基於在高介電常數金屬柵極、FinFET、EUV 等次世代製造技術上持續展現出的領導力,Samsung 實現了快速成長。」Samsung 電子總裁、代工業務主管崔世英博士如此說道,「我們希望透過全球首個 MBCFET 3nm 製程來繼續保持領先地位,未來還將在有競爭力的技術開發領域繼續創新,並建立有助於加快實現技術成熟的工藝。」