Samsung 今天宣布了第二代 10nm FinFET 製程技術的晶片正式投產,取名為「10LPP(Low Power Plus)」。相對於第一代的 10LPE(Low Power Early),10LPP 號稱在相同的能耗下可以有 10% 的效能增進;又或是在相同的效能下, 省電 15%。 更棒的是,因為在生產上它和 10LPE 製程沒有什麼太大的不同, 因此預計不需要經過多少調整,初步就能有很好的產能。 首批運用新製程的晶片,傳言會是 Qualcomm 的下一代旗艦 Snapdragon 845,當然 Samsung 自己的 Galaxy S9 和 S9+ 也能受惠。

再往後,Samsung 還有生產方式相差無幾的 8nm 製程技術,應該可以很輕鬆地銜接上 10LPP。Samsung 希望這兩代的晶片,可以讓其順利過渡到需要 EUV 光蝕刻技術來生產的 7nm 製程,但反過來說, 就是這種大約 10~15% 的微量增幅還要再持續兩代的意思。另一邊台積電的 7nm 製程進度號稱還走在 Samsung 前面,也引發了 Qualcomm 有可能會轉投台積電懷抱的傳言。

在這兩間之外, 還有不是很好擺在一起比較的 Intel。雖然說 Intel 也是 10 nm 的製程,但 Intel 的 10nm 實際上零件的密度更高, 因此在效能和省電上,都號稱有更佳的表現。這也再次點出了到了現在這個世代,多少奈米已經差不多與製程的優劣脫勾,只能自己和自己比,而無法跨公司做直接的比較囉。