IBM 相變記憶體研究突破，每單位現在可儲存三位元資訊

相變記憶體（Phase Change Memory，PCM）是諸多號稱能「改變未來」的新記憶體技術之一，擁有接近 DRAM 的速度、遠超過快閃記憶體的使用壽命，以及不供電也能保存資料的特性。在某些方面來說，它和憶阻體有點像，都是利用物質的電阻高低值來儲存資訊，只是真正的憶阻體是用電壓來控制物質的電阻，而相變記憶體用的卻是溫度。相變記憶體使用的物質一般是一種或多種硫族化物的玻璃（Chalcogenide Glass），它們在加熱冷卻後，可以形成高電阻的晶體，或是低電阻的非晶體狀態，或是兩種狀態間的任意比例組合。

過去 IBM 已經成功地實作出一個晶體單位儲存一個位元（兩種狀態擇一）的相變化記憶體樣本，這次的突破主要是在於對晶體狀態更細緻的辨識能力，讓每個晶體單位可以可靠地量測出八種不同的狀態，記錄三位元的資訊。三位元是個重要的里程碑，因為如此一來它在成本上就明顯對 DRAM 有優勢，甚至逼近了快閃記憶體。只是像所有這類的研究一般，每次都只聞樓梯響，究竟要什麼時候才能看到產品面世呢？

來源: IBM Research

經由: Engadget