IBM 相變記憶體研究突破,每單位現在可儲存三位元資訊

Andy Yang
Andy Yang
2016年05月18日, 上午 10:21
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相變記憶體(Phase Change Memory,PCM)是諸多號稱能「改變未來」的新記憶體技術之一,擁有接近 DRAM 的速度、遠超過快閃記憶體的使用壽命,以及不供電也能保存資料的特性。在某些方面來說,它和憶阻體有點像,都是利用物質的電阻高低值來儲存資訊,只是真正的憶阻體是用電壓來控制物質的電阻,而相變記憶體用的卻是溫度。相變記憶體使用的物質一般是一種或多種硫族化物的玻璃(Chalcogenide Glass),它們在加熱冷卻後,可以形成高電阻的晶體,或是低電阻的非晶體狀態,或是兩種狀態間的任意比例組合。

過去 IBM 已經成功地實作出一個晶體單位儲存一個位元(兩種狀態擇一)的相變化記憶體樣本,這次的突破主要是在於對晶體狀態更細緻的辨識能力,讓每個晶體單位可以可靠地量測出八種不同的狀態,記錄三位元的資訊。三位元是個重要的里程碑,因為如此一來它在成本上就明顯對 DRAM 有優勢,甚至逼近了快閃記憶體。只是像所有這類的研究一般,每次都只聞樓梯響,究竟要什麼時候才能看到產品面世呢?
標籤: 3-bit, IBM, memory, personal computing, personalcomputing, Phase-changeMemory, Research, science, storage, video
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