就在不久前 Samsung 宣佈,旗下的 10nm 級 8Gb DDR4 DRAM 晶片已經正式進入了大規模量產的階段。按照官方說法,在年內會有多級容量的模組推出,從為筆電準備的 4GB 到為企業伺服器準備的 128GB 產品不等。除此之外 Samsung 還承諾,「在不久的將來」為行動裝置而設的 10nm 級 DRAM 便會問世。

實際上,將 DRAM 縮到 10nm 這樣的尺寸並非易事,因為要給電晶體搭配對應的電容器,就意味著所有組件都必須做得更小。再加上 Samsung 的做法是「在大量奈米寬的電晶體上堆疊極窄的圓柱形電容器」,難度無疑就更加大了。為此廠方特意改進了初見於 NAND 記憶體上的四重成型技術(quadruple patterning),而最終的成品,和上代 20nm RAM 相比,速度快了 30%,同時功耗也有了 20% 的降幅。