Intel 的 3D 記憶體比現代儲存媒介快 1000 倍

雖然很想把文章寫得像發現了新大陸一樣興奮，但仔細讀過去，就會發現 Intel 和 Micron 共同發表的這個新的「3D Xpoint（發音如 cross-point）」，其實就是我們多年前寫過的憶阻器和材料技術的實用化。至少很難得地，這個技術竟然能照著預計的時程推出，之前答應「2016 可以實用化」，目前看起來應該是沒有問題的呢。

這顆新晶片利用了兩個新的技術：一個是可以改變電阻的一種晶體，對這種晶體施加電壓可以改變它的電阻值，並在電壓消失後繼續保存著。如果我們把不同的電阻值視為數據的 0 或 1，那測量電阻值就可以知道這個晶體存放的資料是什麼了。第二個技術是稱為「crosshatch」的電路結構，由垂直方向的多層細密電線交錯而成，層與層之間連通上述的晶體。這種方式的資料儲存是立體的，所以在密度上可以比普通的 NAND 高十倍，讀寫快千倍，而且也更耐久。這麼一來，憶阻體可以有等同，或甚至超過 DRAM 的表現，而且還是永久儲存，不會因斷電而損失資料。說不定它可以在未來，讓記憶體和存儲的分野消失，CPU 直接去讀寫硬碟的資料！

Intel 將先把這個技術應用在大數據上，特別是大量資料的即時分析。雖然據稱 Xpoint 已經在量產中，但要來到消費者手上大概還是有一段距離的。

來源: Intel

經由: Engadget