除了超高解析的螢幕以外,現在大家對於旗艦機的記憶體要求,應該都是非 3GB 就看不上眼吧?不過在萊斯大學最新的電阻式記憶體(RRAM)研究的面前,未來說不定這樣的容量大概就會被當成尾數去掉了呢(驚)。RRAM 所使用技術並非傳統 Flash 採用電晶體為單元而是以電阻所組成,卻也同樣具備無需持續供電的優勢。而且可以更輕鬆層疊以更有效地增加單晶片的儲存空間。

重點是,新的技術可在室溫環境與較低能耗之下生產,大幅度地改善了以往需要超高溫、高電壓的低良率高成本製程,降低了製作難度。而綜合以上的優勢所得到的結果就是,為了將可在一張郵票大小的晶片中,獲得 TB 級的超大記憶體容量。很難想像吧?跳轉以後觀看更詳細的介紹。

:本篇坦白說真的有點被主站的文章誤導(所以把最大爭議的標題給改了一下),而我們重新審視一遍它對手機中 RAM 和 ROM 的影響。從目前的資料來看,搭載這樣技術的 RRAM 應該是足以取代 ROM 作為儲存空間是沒問題的;而且因為速度可以有上百倍的增快,也直接進逼了目前 DRAM 的位置。或許這樣產品的出現,可以直接省略了 RAM 和 ROM 的區別,讓處理器直接從 ROM 裡高速地讀取資料呢!(這篇關於「憶阻器」的文章可以作為參考,也看到了 Crossbar 呢,有意思)這次的技術突破點在於,研究團隊改採以金屬(金或白金)填入僅有 5 nm 寬的奈米級二氧化矽層的孔縫之中的方式,並且以兩片非常薄的金屬包覆來製成電極。這樣製作方式相較以往將可大幅降低成本,並且可以增加一百倍的使用次數,儲存單元的密度也因此大幅增加 -- RRAM 的每個 Cell 單元可儲存 9 bits(Flash 則是僅有 3 bits)-- 這樣的成果讓我們普遍見到的 RAM 記憶體的容量單位,一躍到了在固態硬碟 SSD 上才會見到的 TB 級容量大小,但所需要的體積卻是迷你很多。

這樣說好了,一間已經準備推出相關產品的公司 Crossbar 表示,使用這樣技術的記憶體晶片可以使 1TB 的記憶體,容納在僅僅一張郵票大小的晶片尺寸中,而這樣的特性不正是極度適合行動裝置嗎?雖說該公司目前的計劃是要把這樣的科技,應用在一些 embedded 用途與汽車上,所以短期之內應該暫時不會看到搭載此技術的消費型商品。但研究團隊也表示未來幾週也會與其他廠商接觸,所以也不能說這樣的未來還距離我們很遠囉(期待)。