Samsung 推 10nm 製程 64GB 行動快閃記憶體晶片:更小、更快、更強


8 月的時候 Samsung 曾宣佈將開始量產超高速 eMMC 記憶體晶片,而如今採用 10nm 製程的 64GB eMMC Pro Class 2000 行動快閃記憶體晶片就出現在我們面前了。和之前的產品相比其製程從 20nm 改進到了 10nm,晶片體積小了約 20%,而在效能表現和生產力效率方面則有了高達 30% 的提升。幾個月前 Samsung 剛剛推出了使用 JEDEC eMMC 4.5 介面的晶片,現在新品問世,他們下一步的計劃是在明年的時候向 JEDEC 申請全新的介面標準。

據悉這款產品的隨機寫入速度達到了 2,000 IOPS(每秒輸入輸出運轉次數,Input / Output Operations Per Second),隨機讀取速度為 5,000 IOPS,和之前產品 1,500 IOPS / 3,500 IOPS 的成績相比有了很大的進步。而在連續寫入/讀取方面其表現分別為 260MB/s 和 50MB/s。據瞭解這批晶片已於上月投產,再過一段時間應該就能在你身邊的手機或平板上看到它的身影囉。

來源: Samsung Semiconductor

經由: engadget