Samsung announces new 2GB 30nmclass DRAM and 128GB mobile memory chips

隨著手持行動裝置的硬體迅速發展,以現有的高階 Cortex-A15 架構來看,最高頻率可達 2.5 GHz 與支援最多 1TB 的記憶體所帶來的匯流排頻寬需求相當驚人。雖然現有的記憶體頻寬仍足以滿足需求,但在頻寬與省電性上還是有繼續改進的必要,記憶體大廠 Samsung 今日在其 Samsung Mobile Solutions Forum 中宣布可供行動裝置使用的 30 奈米製程 2GB LPDDR3 記憶體已可進入量產階段。LPDDR3 記憶體每個針腳的 I/O 傳輸量可達 1,600Mbps,在以雙通道模式運作下,匯流排頻寬可達 12.8GB/s,總體來說多出前代架構 50% 的傳輸能力。此外,Samsung 也宣布將開始量產 128GB eMMC 快閃記憶體晶片,預計可以進一步縮小並推升 SSD 的體積與容量,雖然這兩個產品已進入量產階段,但用上最新記憶體晶片的 SSD 大概我們一般人也買不起,且目前已知的最新旗艦機款也仍然是採用 LPDDR2 記憶體,之後會配置在哪些機種上也還不能確定,不過隨著之前 Samsung Exynos 5 Dual 技術白皮書公佈的內容來看,想必是指日可待的。跳轉主站或點擊來源連結可瀏覽更詳細的官方新聞稿。