研究者開發出 ReRAM 矽晶片,速度可達普通快閃記憶體 100 倍

Sanji Feng
Sanji Feng
2012年05月21日, 下午 05:01
0分享次數
FacebookTwitter

還記得我們之前報導過的 ReRAM(可變電阻式記憶體)嗎?不記得的話也沒有關係,你只要知道兩點就行了:它的速度要遠高於 NAND 型快閃記憶體;Elpida、Sharp、Panasonic 這些廠商已經將此項技術運用到自己的晶片產品中去了。而最近來自倫敦大學學院(University College London)的一項研究成果更是讓我們看到了 ReRAM 美好的未來。那裡的研究者製造了一種晶片,其速度可達普通快閃記憶體的 100 倍。它由二氧化矽(silicon oxide)製成,因此晶片的電阻表現更佳,另外因為其不需要真空生產,所以造價也比較便宜。除了比快閃記憶體速度更快之外,藉助其對各種傳導率的適應能力這款晶片也可以被當做憶阻器使用。另外在數據處理和任務儲存方面,它同樣也是一把好手。研究者們希望能憑藉這項技術開拓二氧化矽 CPU 市場,除此之外他們也已經將此設計運用到了移動設備透明記憶晶片的開發當中。如果你想要瞭解更多相關資訊的話,點擊來源可以看到 Phys.org 更詳細的報導。
標籤: chip, chips, flash memory, Flash memory chip, FlashMemory, FlashMemoryChip, memory, memristor, memristors, NAND, NAND flash memory, NandFlashMemory, ReRam, research, researchers
0分享次數
FacebookTwitter