關於 HTC One S,除了它那 7.9mm 薄的機身和 Qualcomm S4 的高效能外,最多話題的相信就是其背蓋,除了是 HTC 一貫的一體成形設計外,其透過微弧氧化技術(Micro-Arc Oxidation)達成,接近陶瓷的手感,也讓人津津樂道。然而,除了官方釋出的一段影片,揭示了這背蓋的製作(實際上只有電擊部份)過程外,我們對其製作過程可說是一無所知。所以 HTC 這次就在其 CTIA 展位設置了一個專櫃,將 One S 的外殼由原塊金屬,經過切割,直到電擊後的樣子,每一個階段都讓我們看光光。有興趣的話可以看看圖庫,又或是跳轉後的影片 -- 不過影片是不包括電擊過程的,總不能把整個製程連機器都搬到展場吧 XD。