IBM 的工程師有多神?這是一群在百歲生日上還能繼續為世界帶來超級大改變的人啊!這次的發明,是一種新的相變記憶體(Phase Change Memory,PCM),這種記憶體的原理,是運用一種有兩種形態 -- 結晶和無定形 -- 的合金做為基礎,這種合晶在結晶時導電性良好,但在不定形狀態下電阻就變得很高。因此只要通電改變結晶的型態,就能在這種合晶上儲存資料,電阻高的不定形狀態是零,而電阻低的結晶狀態是一。雖然原理不完全一樣,但這種合晶在效果上頗接近憶阻器,相較於現有的快閃記憶體,讀寫速度可以快上 100 倍,而且可以穩定地使用數百萬個寫入循環(快閃記憶體幾千次就不行了)。

IBM 的技術還不止如此 -- 他們成功地發展了一套方法,可以可靠地在一塊晶體中儲存四種不同的電阻「等級」,讓本來只能儲存一個位元,變成可以存兩個,大幅提升資訊的儲存密度,不過就像大部份這種令人興奮的新科技,IBM 只能給出「五年之內發生典範轉移」這樣籠統的數字。現在我們眼前既有答應 2013 年推出的憶阻器,又有 2016 年的瞬間記憶體,只要撐過了 2012 的世界末日,小弟小小的謎片收藏應該就終於有快速而安全的 SSD 可以存了吧?