IBM 開發「瞬間」記憶體，比快閃記憶體快 100 倍

IBM 的工程師有多神？這是一群在百歲生日上還能繼續為世界帶來超級大改變的人啊！這次的發明，是一種新的相變記憶體（Phase Change Memory，PCM），這種記憶體的原理，是運用一種有兩種形態 -- 結晶和無定形 -- 的合金做為基礎，這種合晶在結晶時導電性良好，但在不定形狀態下電阻就變得很高。因此只要通電改變結晶的型態，就能在這種合晶上儲存資料，電阻高的不定形狀態是零，而電阻低的結晶狀態是一。雖然原理不完全一樣，但這種合晶在效果上頗接近憶阻器，相較於現有的快閃記憶體，讀寫速度可以快上 100 倍，而且可以穩定地使用數百萬個寫入循環（快閃記憶體幾千次就不行了）。

IBM 的技術還不止如此 -- 他們成功地發展了一套方法，可以可靠地在一塊晶體中儲存四種不同的電阻「等級」，讓本來只能儲存一個位元，變成可以存兩個，大幅提升資訊的儲存密度，不過就像大部份這種令人興奮的新科技，IBM 只能給出「五年之內發生典範轉移」這樣籠統的數字。現在我們眼前既有答應 2013 年推出的憶阻器，又有 2016 年的瞬間記憶體，只要撐過了 2012 的世界末日，小弟小小的謎片收藏應該就終於有快速而安全的 SSD 可以存了吧？