相變位記憶體世代要來了嗎！？

[撰文：龔獨陞]

隨著恆憶半導體（NUMONYX）最近發表第二代90nm相變位記憶體（PCM，亦稱為PRAM；Phase Change Memory）產品後，三星也跟著在差不多的時間點宣示將在季末推出針對手機市場（看來打算沒人買單也可以自行吸收是吧...）的PCM產品，更狠的是一次就跳到30nm製程了。

相較於現有主流記憶體技術仰賴電荷的方式儲存，只要一沒電，內容就會消失，PCM的原理則是透過硫族化合物（恆憶採用的是GST材質）透過加熱與降溫在晶體與非晶體間轉換的方式作為寫入，並透過測量GST的電阻進行讀取，在無電的狀態下依舊可維持內容；由於紀錄方式是單純的物理變化，結合NAND與NOR 快閃記憶體以及其他記憶體的多項優點，且壽命為100萬次寫入，比一般的記憶體壽命約10萬次更高，有更長的產品壽命。根據恆憶的資料，以機上盒設計為例，PCM可整合EEPROM與快閃記憶體的功能，簡化線路設計。此外，PCM在寫入的程序不需將經過資料抹除程序，可直接對資料進行至直接寫入，也因此比NOR Flash有更快的寫入速度（前提是必須在系統程序上跳過抹除的動作）。

PCM目前所針對的目標仍是以包括手機為主的嵌入式系統為主，三星與恆憶雖在市場上互為競爭，但兩方也在2009年針對針對支援 JEDEC LPDDR2 低功耗記憶體裝置標準的行動、嵌入式及其他潛在運算應用訂定共通標準，未來可望透過Pin-to-Pin的方式達到軟硬體相容。並且在三星的操作下，相信在手機市場應該很快就有起色，剛剛查了一下資料，台灣工研院電光所與整合了力晶、南亞、華邦、茂德四家業者於2006年組成PCM聯盟，不過動作方面似乎比較落後一點...相較於已經快崩盤的DRAM，如果動作不快一點，到時候大概要看著三星靠半導體工廠跟自產自銷的優勢，還有處處透過專利施壓跺腳了嗎...？