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Image credit: Samsung

Samsung 開始量產第二代 10nm 級 8Gb DDR4 RAM 晶片

比上代產品更快、更小、更省電。

Sanji Feng
2017 年 12 月 21 日, 早上 10:00
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日前 Samsung 正式宣佈,其基於第二代 10nm 製程的 8Gb DDR4 RAM 晶片已經開始了大規模量產。跟上代產品相比,它的速度快了 10%,同時功耗也降低了 15%。除此之外,新品的生產率也上升了 30%,有望降低一些 RAM 的售價。值得一提的是,在這次的開發過程中 Samsung 使用了效率更高的查錯方案,並且還特意在位線間加入「獨特的空氣間隔」來減少寄生電容。

另外,Samsung 在公告中還表示「自己將加快引入下一代的 DRAM 晶片和系統,包括 DDR5、HBM3、LPDDR5 和 GDDR6,用於企業伺服器、行動裝置、超級電腦、HPC 系統和高速顯示卡」。與此同時,更主流的第一代 10nm 級製程晶片生產量也會增加。