Samsung 開始量產 2GB LPDDR3 記憶體與 128GB 快閃記憶體晶片,帶來更大的頻寬與容量

Samsung announces new 2GB 30nmclass DRAM and 128GB mobile memory chips
Samsung announces new 2GB 30nmclass DRAM and 128GB mobile memory chips


隨著手持行動裝置的硬體迅速發展,以現有的高階 Cortex-A15 架構來看,最高頻率可達 2.5 GHz 與支援最多 1TB 的記憶體所帶來的匯流排頻寬需求相當驚人。雖然現有的記憶體頻寬仍足以滿足需求,但在頻寬與省電性上還是有繼續改進的必要,記憶體大廠 Samsung 今日在其 Samsung Mobile Solutions Forum 中宣布可供行動裝置使用的 30 奈米製程 2GB LPDDR3 記憶體已可進入量產階段。LPDDR3 記憶體每個針腳的 I/O 傳輸量可達 1,600Mbps,在以雙通道模式運作下,匯流排頻寬可達 12.8GB/s,總體來說多出前代架構 50% 的傳輸能力。此外,Samsung 也宣布將開始量產 128GB eMMC 快閃記憶體晶片,預計可以進一步縮小並推升 SSD 的體積與容量,雖然這兩個產品已進入量產階段,但用上最新記憶體晶片的 SSD 大概我們一般人也買不起,且目前已知的最新旗艦機款也仍然是採用 LPDDR2 記憶體,之後會配置在哪些機種上也還不能確定,不過隨著之前 Samsung Exynos 5 Dual 技術白皮書公佈的內容來看,想必是指日可待的。跳轉主站或點擊來源連結可瀏覽更詳細的官方新聞稿。