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Image credit: Samsung

Samsung 推出適合大容量 SSD 的 1Tb V-NAND 晶片

經過 16 層堆疊後可生產出 2TB 的快閃記憶體。

Sanji Feng
2017 年 8 月 10 日, 傍晚 08:00
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距離 Samsung 首度發表 3D V-NAND 晶片已經過去了四年多,期間這項技術已經有了長足的發展。時至今日,1Tb 的 V-NAND 晶片已經開發完成,而 Samsung 也宣佈對應的產品將會從明年開始量產。跟之前最大的 512Gb 晶片相比,這一代的新品容量又翻了一番。而且按照 Samsung 的說法,在有了 1TB 的 V-NAND 之後,他們將能透過 16 層堆疊的方式生產出 2TB 的快閃記憶體。相信在不久的將來,家用 PC 甚至手機的用戶將都能從中獲益。而對 Samsung 自身而言,應該也意味著半導體業務會迎來新的業績增長點吧。