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Snapdragon 835 將會是高通首款 10nm 晶片

一同登場的 QC 4 快充也會符合 Google 倡導的 USB Type-C 充電要求。

Sanji Feng
2016 年 11 月 17 日, 晚上 11:08
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就在剛才,高通正式公佈了下一代的旗艦行動 SoC Snapdragon 835。這款晶片將會由 Samsung 代工,基於 10nm FinFET 製程,跟現有的 14nm Snapdragon 821(也是 Samsung 製造)相比,其效能要強出 27%,同時最多能降低 40% 的功耗。除此之外,據稱 S835 的設計也有所改進,在總體續航力上將會有「顯著」加強。

實際上,在目前的晶片市場中,Intel 和台積電也都在磨練自己的 10nm 技術,但真正能做出成品的,南韓巨頭還是第一家。按照 Samsung 副總裁 Jong Shik Yoon 的說法,與高通的合作「是其製造業務的重要里程碑」,而且老實講,多虧得晶片跟面板業務夠力,Note 7 事件帶來的經濟損失,影響相對來說已經被沖淡了不少。至於搭載 S835 的手機,預計會在 2017 年上半年問世(裡面多半會有 Galaxy S8),屆時高通說不定還會另推一款 S830 用來滿足不同的客戶。


值得一提的是,跟 S835 一同公開的還有新一代的快充技術 Quick Charge 4。據稱它能帶來比 QC 3.0 快 20% 的充電速度,充電 5 分鐘可帶來最高 5 小時的續航時長,連充 15 分鐘後,基本能給採用 S835 處理器的手機灌入差不多一半的電量。

更重要的是,這套新方案用到了高通的 INOV 技術(Intelligent Negotiation for Optimum Voltge,最佳電壓智慧協調),而且它還符合 Google 為 USB Type-C 提出的最新參考指南,不像 QC 3.0 那樣有違 Nougat 的規格要求。大家都知道,Google 現在希望避免各類不同快充標準所帶來的潛在使用隱患,畢竟像一加 2 充電線充壞其它裝置這樣的事情,到今天為止已經發生不少例了。

對此高通表示,自家的新技術「為充電器和行動裝置都準備了先進的保護功能」,它可以調整電流、電壓和溫度,用來確保電池、電線和連接器的安全。「為了避免電池過充和調節每個充電週期內的電流,我們還專設了額外的保護層。」高通在新聞稿中這麼寫道。毫無意外,QC 4 能兼容 USB Power Delivery 肯定是一件好事。畢竟 Google 已經給出了「強烈建議」,未來的 Android 版本會要求 Type-C 手機完全匹配標準 Type-C 充電頭的互用性(Interoperability),雖然這讀起來是一個「可能出現的要求」,但言下之意其實已經很明顯啦。