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IBM、TDK 合作發展 STT-RAM

Casper Kao
2007 年 8 月 22 日, 早上 08:00
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各位對記憶體發展相當關注的朋友們,褲帶又要勒緊了!

除了 S 陣營等人努力當中的 PRAM(Phase-Change RAM, 相變化隨機存取記憶體),IBM 跟日本的 TDK 合作,將發展所謂的旋轉力矩轉移隨機存取記憶體(spin torque transfer RAM, STT-RAM)。

其原理其實就是利用外加電流來改變磁場,一但磁場改變,阻力就會改變,而透過阻力改變的程度,來決定 1 或是 0 的邏輯運算。

而原先 IBM 其實有在發展一種叫做 MRAM 的記憶體,但在縮小電晶體以及資料寫入方面遇到瓶頸,目前就沒有繼續的打算;而 IBM-TDK 發展的 STT -RAM,預計將在 4 年內推出 65nm 製程的原型產品。同時,矽谷也有一家叫做 Grandis 的廠商,也在發展 STT-RAM,他們則是預計在明年底就能夠有產品問世。

同時,IBM 也不忘踢 PRAM 一腳,他們表示,SST-RAM 的優勢是在運算較快,而 PRAM 則可以較密集的寫入,不過 SST-RAM 應該還是會長命一點。(為啥?)這點,就得等未來印證了!

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